2025年度国家科学技术奖励大会近日在北京人民大会堂隆重举行。大会集中表彰年度全国范围内具有重大突破、突出贡献的科研成果与创新团队，其中，广东中图半导体科技股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司作为主要完成单位参与研发的“氮化镓基发光器件关键衬底技术”项目，荣获国家技术发明奖二等奖，充分展现了两家企业在第三代半导体核心领域的创新实力与技术壁垒。

据了解，本次获奖项目由北京大学、广东中图半导体科技股份有限公司、北方华创微电子装备有限公司、松山湖材料实验室、东莞市中镓半导体科技有限公司联合完成，主要完成人为王新强、张国义、康凯、李东三、于彤军、袁冶。项目聚焦氮化镓发光器件核心衬底技术攻关，是我国光电半导体产业关键核心技术自主化的重要成果。

氮化镓基发光器件是第三代半导体产业的核心赛道，彻底推动了全球绿色照明、新型显示产业的技术变革，已然成为全球科技竞争与产业战略布局的核心制高点。而衬底作为氮化镓发光器件的核心基础材料，直接决定器件的性能、稳定性与产业化水平，是制约我国高端光电产业发展的关键核心环节。

针对我国高端氮化镓衬底技术长期受制于人的产业痛点，项目科研团队深耕核心技术攻关，以技术自主革新为核心主线，系统性突破多项行业技术瓶颈。通过长期科研攻坚，团队成功搭建起具备完全自主知识产权的氮化镓衬底核心技术体系，自主研发出系列高性能衬底产品及配套专用装备，大幅提升了氮化镓发光器件的光电性能与量产可靠性，有效解决了行业产业化应用的关键难题。

该项目的落地与获奖，标志着我国氮化镓基发光器件关键衬底技术实现了从对外依赖、被动跟跑到自主可控、自主引领的历史性跨越，成功打破了国外技术垄断。成果全面夯实了我国绿色照明、新型显示产业的核心技术根基，有效提升了我国在全球第三代半导体产业格局中的话语权，为国内光电产业高端化、规模化、自主化发展提供了强有力的技术支撑。